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《半導體技術(shù)》以嚴謹風格,權(quán)威著述,在業(yè)內(nèi)深孚眾望,享譽中外,對我國半導體事業(yè)的發(fā)展發(fā)揮了積極的作用。它以嚴謹風格,權(quán)威著述,在業(yè)內(nèi)深孚眾望,享譽中外,對我國半導體事業(yè)的發(fā)展發(fā)揮了積極作用。“向讀者提供更好資訊,為客戶開拓更大市場”。半導體技術(shù) 2017年 第1期目錄:
氮氣流量對磁控濺射AlN薄膜光學性能的影響楊家樂;沈鴻烈;邢正偉;蔣曄;李金澤;張三洋;李玉芳 (32)
有機胺堿對硅通孔銅膜化學機械拋光的影響劉俊杰;劉玉嶺;牛新環(huán);王如 (37)
半導體材料
球形CdSe納米晶的制備及其光電性能江瑤瑤;王晶晶;黎燕;鐘福新;高云鵬;朱義年;莫德清 (43)
Al摻雜半導體Mg2Si薄膜的制備及電學性質(zhì)王善蘭 廖楊芳 房迪 吳宏仙 肖清泉 袁正兵 謝泉 (50)
可靠性
45nm芯片銅互連結(jié)構(gòu)低k介質(zhì)層熱應(yīng)力分析林琳;王珺;王磊;張文奇 (55)
中國電科13所成功研制出1200 V/20 A SiC MOSFET芯片王永維 (60)
半導體檢測與設(shè)備
半導體材料輻射效應(yīng)的表征與分析曾光;劉許強;楊娜;楊桂霞 (61)
一種高效高速的大容量FPGA電路功能驗證方法叢紅艷;于宗光;閆華;單悅爾;胡凱;董宜平 (69)
鋁焊墊俄歇分析中荷電效應(yīng)影響及其降低方法虞勤琴;李明;段淑卿
級別:北大核心,CSSCI,AMI擴展
ISSN:1002-6487
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級別:北大核心,JST,CSSCI,WJCI,AMI權(quán)威
ISSN:1002-4565
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級別:北大核心,JST,CSCD,CSSCI,WJCI
ISSN:1002-2104
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數(shù)據(jù)庫:SCI
ISSN:2045-2322
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ISSN:0284-1851
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ISSN:2352-4928
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ISSN:0169-4332
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數(shù)據(jù)庫:SCI
ISSN:0960-7412
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